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基於磁阻技術的AMR磁傳感器原理和優勢

電子設計 2021-03-17 12:01 次閲讀

傳統的磁傳感器利用霍爾效應來感測磁場的強度和方向。近年來,隨着磁阻(Magnetic Resistance)技術的逐步發展和成熟,無論在消費類還是在汽車和工業類市場上,越來越多的產品開始使用基於磁阻技術的磁傳感器。

1 AMR磁傳感器的原理和優勢

某些金屬或半導體在遇到外加磁場時,其電阻值會隨着外加磁場的大小發生變化,這種現象叫做磁阻效應。磁阻技術主要包括各向異性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)。

各向異性磁電阻(AMR)效應是指當外部磁場與磁體內建磁場方向成零度角時, 電阻不隨外加磁場變化而發生改變;但當外部磁場與磁體的內建磁場有一定角度的時候, 磁體內部磁化矢量會偏移,電阻降低。各向異性磁阻的磁場作用效果如下圖:

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AMR磁傳感器的基本結構是由四個磁阻組成了惠斯通電橋,其中供電電源為Vb,電流流經電阻。當施加一個偏置磁場H在電橋上時,兩個相對放置的電阻的磁化方向就會朝着電流方向轉動,這兩個電阻的阻值會增加;

而另外兩個相對放置的電阻的磁化方向會朝與電流相反的方向轉動,該兩個電阻的阻值則減少。通過測試電橋的兩輸出端輸出電壓差信號,可以得到外界磁場值。

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基於各向異性磁阻(AMR)技術的磁傳感器具有以下優勢:

● AMR磁傳感器具有高頻、低噪和高信噪比特性,性能遠高於傳統的霍爾傳感器;

● AMR磁傳感器在地球磁場範圍內性能優良,且不隨温度變化,指南針應用,測量精確度可達1度;

● AMR可與CMOS或MEMS集成在同一硅片上;  

● AMR技術只需一層磁性薄膜,工藝簡單,成本低。

2 世界已知最小尺寸AMR磁傳感器

美新半導體(MEMSIC)最新一代的磁傳感器MMC5603NJ是基於先進的AMR技術的單芯片集成的三軸磁傳感器,晶圓級封裝, 是世界上迄今已知最小尺寸(0.8x0.8x0.4mm)的磁傳感器。多項美新所獨有的新技術和新工藝被應用在MMC5603NJ這顆磁傳感器上。

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1、高度集成的單芯片設計

早期的MEMS磁傳感器需要兩個MEMS的Die(一個感測X/Y軸的磁場,另一個感測Z軸磁場)和一個用來處理信號的ASIC的Die。這樣的設計結構複雜、體積大、且成本高。隨着設計和製造工藝技術的進步,Die體積越來越小,但一般還是需要一個MEMS的Die和一個ASIC的Die。

美新採用專有的技術,將MEMS技術和標準的CMOS工藝完美結合,直接在ASIC材料表面集成了AMR磁阻材料,並採用獨創的斜坡結構來感測Z軸方向的磁場信號。這樣高度集成的單芯片設計,並採用了晶圓級的封裝,鑄成了業界最小尺寸的三軸磁傳感器。

2、數倍或數十倍領先於同級別產品

磁傳感器在電子設備中最常見的應用是感測地球磁場的方向,我們將此應用稱為電子羅盤(eCompass)。電子羅盤容易受到周圍環境中各類的軟磁和(或)硬磁的磁場干擾而造成方向失準。

對此,美新在軟件方面提供了成熟的、可定製的算法來校準方向。然而,當干擾磁場非常大的時候,磁感應元件內部會殘留明顯的剩磁,軟件校準算法對此無能為力;

MMC5603NJ在芯片設計上使用了Auto Set/Reset的機制。此機制是在磁感應元件的敏感極上進行正反兩個方向上的成對操作,可以消除磁傳感器內部固有的offset,並且抵消時間、温度等變化等因素帶來的漂移。

MMC5603NJ的温漂只有±0.01μT/℃,遠低於同類產品。因此,MMC5603NJ能在各種苛刻的使用環境下保持始終如一的測量精度和穩定可靠的性能。

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此外,MMC5603NJ還提供了20/18/16位的可選擇的靈敏度,最高可達1000Hz的數據輸出速率,RMS噪聲水平最低為0.15μT,磁滯僅為0.02%,使得快速校準甚至免校準的電子指南針成為可能...

以上主要性能參數,與市場上同級別產品相比較,MMC5603NJ保持數倍或數十倍的領先。

3 小結

美新深耕磁傳感技術多年,在基於AMR技術的磁傳感器的設計、製造和應用等方面積累深厚,並且還首創將高性能的AMR磁傳感器引入智能手機市場。

作為全新一代基於AMR技術的三軸磁傳感器,美新的MMC5603NJ已廣泛應用於智能手機、平板電腦等眾多消費類電子產品中,也是目前全球出貨量最大的基於AMR技術的磁傳感器之一。

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極智嘉成功召開中國合作伙伴大會,與聯想、金峯簽署戰略合作協議

磁傳感器在傳感技術的地位

在汽車領域中,磁傳感器是一種看不見但又不可或缺的技術,它能使從轉彎信號到點火定時的一切都成為可能。 ...
發表於 08-13 06:39 202次 閲讀
磁傳感器在傳感技術的地位

霍爾效應傳感器是什麼

磁傳感器將磁或磁編碼信息轉換為電信號,以便通過電子電路進行處理。 ...
發表於 08-06 06:21 101次 閲讀
霍爾效應傳感器是什麼

磁傳感器將是未來傳感技術背後的巨人?

在汽車領域中,磁傳感器是一種看不見但又不可或缺的技術,它能使從轉彎信號到點火定時的一切都成為可能。 ...
發表於 05-19 07:34 196次 閲讀
磁傳感器將是未來傳感技術背後的巨人?

AD7866雙通道,1MSPS,12位,非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案

磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案。該電路非常適用於高速,精確,非接觸長度...
發表於 11-05 08:50 625次 閲讀
AD7866雙通道,1MSPS,12位,非接觸式AMR(各向異性磁阻)線性位置測量解決方案

智能電錶是怎麼提高能效和促進節能的?

我們都很熟悉那些隱藏在車庫、地下室或其它隱蔽之處的電錶了。我們甚至可能每月會檢查它一次或兩次,並將電錶上的最新讀數打電話...
發表於 07-31 08:21 643次 閲讀
智能電錶是怎麼提高能效和促進節能的?

DRV5015-Q1 2mT、5.5V 汽車霍爾效應鎖存器

DRV5015-Q1是一款低電壓數字鎖存器霍爾效應傳感器,專為高速和高温電機需求。該器件由 2.5 V至5.5V的電源供電,可以檢測磁通量密度並根據預定義的磁性閾值顯示數字輸出。 必須交換北極和南極磁極才能切換輸出,集成的磁滯能夠提供穩定可靠的切換。 該器件具有兩個磁性閾值選項和一個反相輸出選項。高磁性靈敏度可提供低成本磁體選擇和組件放置靈活性。 該器件在-40 °C至+ 150°C的寬環境温度範圍內能夠保持穩定一致的優異性能。 特性 符合汽車類應用的要求 具有符合AEC Q100標準的下列結果: 器件温度0級:-40°C至150°C環境工作温度範圍 器件人體放電模型(HBM)靜電放電(ESD)分類等級H3A 器件CDM ESD分類等級C6 數字鎖存器霍爾效應傳感器 高磁性靈敏度: DRV5015A1-Q1:±70萬噸(典型值) DRV5015A2-Q1:±1.8mT(典型值) DRV5015A3-Q1:±1.8mT(反相,典型值) < /li> 集成磁滯 30kHz高速感應帶寬 2.5V至5.5VV CC 工作電壓範圍 開漏輸出,輸出電流高達20mA 工作温度範圍:-40°C至+ 150°C 所有商標均為其各自的商標。擁有者。 參數 與其它產品相比 霍爾效應鎖存器和開...
發表於 01-08 17:52 209次 閲讀
DRV5015-Q1 2mT、5.5V 汽車霍爾效應鎖存器

DRV5057 高精度 3.3V 或 5V 數字 PWM 輸出霍爾效應傳感器系列

DRV5057是一款線性霍爾效應傳感器,可按比例響應磁通量密度。該器件可用於進行精確的位置檢測,應用範圍廣泛。< /p> 該器件由3.3V或5V電源供電。當不存在磁場時,輸出產生佔空比為50%的時鐘。輸出佔空比會隨施加的磁通量密度呈線性變化,四個靈敏度選項可以根據所需的感應範圍最大限度擴大輸出動態範圍。南北磁極產生唯一的輸出。典型的脈寬調製(PWM)載波頻率為2kHz。 它可檢測垂直於封裝頂部的...
發表於 01-08 17:52 262次 閲讀
DRV5057 高精度 3.3V 或 5V 數字 PWM 輸出霍爾效應傳感器系列

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器件是一款用於高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件採用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,並根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直於封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小於磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯後有助於防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境温度範圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯後以增強抗噪能力 工作温度範圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 霍爾效應鎖存器和開關   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
發表於 01-08 17:51 391次 閲讀
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5011 低電壓數字鎖存器霍爾效應傳感器

DRV5011器件是一款數字鎖存器霍爾效應傳感器,專為電機和其他旋轉系統而設計。 該器件具有工作電壓範圍為2.5V至5.5V的高效低電壓架構,採用標準SOT-23封裝和外形減小90%的0.4mm超薄X2SON封裝。輸出端採用推輓驅動器,無需使用上拉電阻器當前南磁極靠近封裝頂部並且超出B OP 閾值時,該器件會驅動低電壓。輸出會保持低電平,直到應用北極並且超出B RP 閾值,這將使輸出驅動高電壓。必須交換北極和南極才能切換輸出,且集成的磁滯會分開B OP 和B RP 以提供可靠切換。 器件在-40°C至+ 135°C的寬環境温度範圍內能夠保持穩定一致的優異性能。 < p> 特性 超小型X2SON或SOT-23封裝 高磁性靈敏度:±2mT(典型值) 可靠磁滯:4mT(典型值) 30kHz高速感應帶寬 2.5V至5.5VV CC 工作電壓範圍 推輓式CMOS輸出 支持5mA拉電流和20mA灌電流 工作温度範圍:-40°C至+ 135°C 所有商標均為其各自所...
發表於 09-25 11:36 216次 閲讀
DRV5011 低電壓數字鎖存器霍爾效應傳感器

DRV5013-Q1 汽車類數字鎖存霍爾效應傳感器

DRV5013-Q1器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測特性。 磁場由數字雙極鎖存輸出表示。該集成電路(IC)配有一個灌電流能力達30mA的漏極開路輸出級。反向極性保護高達 - 22V的寬工作電壓範圍(2.7至38V)使得此器件廣泛適用於各種汽車應用。 提供針對反向電源情況,拋負載和輸出短路或者過流的內部保護功能。 /p> 特性 符合面向汽車應用的AEC-Q100標準: 設備HBM ESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4B 1級:T A = -40°C至125°C(Q,請參閲器件命名規則) 0級:T A = -40°C至150°C(E,請參閲器件命名規則) 數字雙極鎖存霍爾傳感器 出色的温度穩定性 在温度範圍內B OP ±10 % 多種靈敏度選項(B OP /B RP ) 1.3 /- 1.3mT(FA,請參閲器件命名...
發表於 09-25 11:34 97次 閲讀
DRV5013-Q1 汽車類數字鎖存霍爾效應傳感器

DRV5056 高精度 3.3V 或 5V 比例式單極霍爾效應傳感器系列

DRV5056是一款線性霍爾效應傳感器,可按比例響應磁南極的磁通密度。該器件可用於各種應用中的精確定位傳感。 具有單極磁響應,模擬輸出在沒有磁場時驅動0.6 V,在應用南磁極時增加。該響應最大化了感應一個磁極的應用中的輸出動態範圍。四種靈敏度選項可根據所需的感應範圍進一步最大化輸出擺幅。 該器件採用3.3 V或5 V電源供電。檢測垂直於封裝頂部的磁通量,並且兩個封裝選項提供不同的感測方向。 該器件採用比率式架構,可在外部時最小化V CC 容差的誤差模數轉換器(ADC)使用相同的V CC 作為參考。此外,該器件還具有magnettemperature補償功能,可抵消磁體在-40°C至+ 125°C寬温度範圍內的線性性能漂移情況。 特性 單極線性霍爾效應磁傳感器 採用3.3 V和5V電源供電 < li>具有0.6V靜態偏移的模擬輸出: 最大化電壓擺幅以實現高精度 磁性靈敏度選項(在V CC = 5 V): A1:200 mV /mT,20 mT範圍 A2:100 mV /mT,3...
發表於 09-21 17:31 197次 閲讀
DRV5056 高精度 3.3V 或 5V 比例式單極霍爾效應傳感器系列

DRV5012 超低功耗數字鎖存器霍爾效應傳感器

DRV5012器件是可通過引腳選擇採樣率的超低功耗數字鎖存器霍爾效應傳感器。™ 當南磁極靠近封裝頂部並且超出B OP 閾值時,該器件會驅動低電壓。輸出會保持低電平,直到應用北極並且超出B RP 閾值, B OP 和B RP 以提供可靠切換。 p> 通過使用內部振盪器,DRV5012器件對磁場進行採樣,並根據SEL引腳以20Hz或2.5kHz的速率更新輸出。這種雙帶寬特性可讓系統在使用最小功率的情況下監控移動變化。 此器件通過1.65V至5.5V的V CC 工作,並採用小型X2SON封裝。 特性 行業領先的低功耗特性 可通過引腳選擇的採樣率: SEL =低電平:使用1.3μA(1.8V)時為20Hz SEL =高電平:使用142μA(1.8V)時為2.5kHz V CC 工作電壓範圍為1.65V至5.5V 高磁性靈敏度:±2mT(典型值) 可靠磁滯: 4mT(典型值) 推輓式CMOS輸出 小型纖薄X2SON封裝 運行温度範圍:-40°C...
發表於 09-21 17:12 223次 閲讀
DRV5012 超低功耗數字鎖存器霍爾效應傳感器

DRV5056-Q1 汽車類高精度 3.3V 或 5V 比例式單極霍爾效應傳感器系列

DRV5056-Q1器件是一款線性霍爾效應傳感器,可按比例響應磁通量密度。該器件可用於進行精確的位置檢測,應用範圍廣泛。 此模擬輸出配備特色的單極磁響應,無磁場時可驅動0.6V的電壓,存在南磁極時電壓會升高。對於感應一個磁極的應用,此響應可以最大限度提高輸出動態範圍.4種靈敏度選項可以基於所需的感應範圍進一步最大限度提高輸出擺幅。 該器件由3.3V或5V電源供電。它可感測到到直管封裝頂部的磁通量,兩個封裝選項提供不同的感應方向。 該器件使用比例式架構,當外部模數轉換器(ADC)使用相同的V CC 進行此時,該器件還具有磁體温度補償功能,可以抵消磁體漂移,在廣泛的-40°C至+ 150° C温度範圍內實現線性特性。 特性 單極線性霍爾效應磁傳感器 由3.3V和5V電源供電 模擬輸出,提供0.6V靜態失調電壓: 最大限度提高電壓擺幅以實現高精度 磁性靈敏度選項(V CC = 5V時): A1:200mV /mT,±20mT範圍 A2:100mV...
發表於 09-21 17:11 182次 閲讀
DRV5056-Q1 汽車類高精度 3.3V 或 5V 比例式單極霍爾效應傳感器系列

DRV5055-Q1 汽車類高精度 3.3V 或 5V 比例式雙極霍爾效應傳感器系列

DRV5055-Q1器件是一款線性霍爾效應傳感器,可按比例響應磁通量密度。該器件可用於進行精確的位置檢測,應用範圍廣泛。 該器件由3.3V或5V電源供電。當不存在磁場時,模擬輸出可驅動1/2 V CC 。輸出會隨施加的磁通量密度呈線性變化,四個靈敏度選項可以根據所需的檢測範圍提供最大的輸出電壓擺幅。南北磁極產生唯一的電壓。 該器件可檢測垂直於封裝頂部的磁通量,兩個封裝選項提供不同的檢測方向。 該器件使用比例式架構,當外部模數轉換器(ADC)使用相同的V CC 作為其基準電壓時,可以消除此外,該器件還具有磁體温度補償功能,可以抵消磁體温漂,在廣泛的-40°C至+ 150°C温度範圍內實現線性特性。 特性 比例式線性霍爾效應磁傳感器 由 3.3V 和 5V 電源供電 模擬輸出,提供 VCC/2 靜態失調電壓 磁性靈敏度選項(VCC = 5V 時): A1:100mV/mT,±21mT 範圍 A2:50mV/mT,±42mT 範圍 A3:25mV/mT,±85mT 範圍 ...
發表於 09-21 17:01 245次 閲讀
DRV5055-Q1 汽車類高精度 3.3V 或 5V 比例式雙極霍爾效應傳感器系列

DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例式雙極霍爾效應傳感器系列

DRV5055器件是一款線性霍爾效應傳感器,可按比例響應磁通量密度。該器件可用於進行精確的位置檢測,應用範圍廣泛低功耗是一個關鍵問題。 該器件由3.3V或5V電源供電。當不存在磁場時,模擬輸出可驅動1 /2V CC 。輸出會隨施加的磁通量密度呈線性變化,四個靈敏度選項可以根據所需的感應範圍提供最大的輸出電壓擺幅。南北磁極產生唯一的電壓。 它可檢測垂直於封裝頂部的磁通量,而且兩個封裝選項提供不同的檢測方向。 該器件使用比例式架構,當外部模數轉換器(ADC)使用相同的V CC 作為其基準電壓時,可以消除V CC 容差產生的誤差。此外,該器件還具有磁體温度補償功能,可以抵消磁體漂移,在較寬的-40°C至125°C温度範圍內實現線性性能。 特性 所有商標均為其各自所有者的財產。 比例式線性霍爾效應磁傳感器 由3.3V和5V電源供電 模擬輸出,提供V CC /2靜態失調電壓 磁性靈敏度選項(V CC = 5V時): A1 :100mV /mT,±21mT範圍 A2:...
發表於 09-21 17:00 259次 閲讀
DRV5055 高精度 3.3V 或 5V 比例式雙極霍爾效應傳感器系列

DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5V 霍爾效應開關傳感器

DRV5032器件是一款超低功耗數字開關霍爾效應傳感器,專為最緊湊型系統和電池電量敏感型系統而設計。器件可提供多種磁性閾值,採樣率,輸出驅動器和封裝以適配各種應用。™ 當施加的磁通量密度超過B OP 閾值時,器件會輸出低電壓。輸出會保持低電壓,直到磁通量密度低於乙 RP ,隨後輸出將驅動高電壓或變成高阻抗,具體取決於器件版本。通過集成內部振盪器,該器件可對磁場進行採樣,並以20Hz或5Hz的速率更新輸出,以實現最低電流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 範圍內工作,並採用標準SOT-23和小型X2SON封裝。 特性 行業領先的超低功耗 5Hz版本:0.54μA,1.8V 20Hz版本:1.6μA,3V V CC 工作電壓範圍為1.65V至5.5V 磁性閾值選項(最大B OP ): 3.9 mT,最高靈敏度 4.8mT,高靈敏度 9.5 mT,中等靈敏度 63mT,最低靈敏度 ...
發表於 09-21 16:40 630次 閲讀
DRV5032 超低功耗 1.65V 至 5.5V 霍爾效應開關傳感器

DRV5033 DRV5033 數字鎖存霍爾效應傳感器

DRV5033器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測量能力。 DRV5033對磁場兩極方向的響應相同。當應用的磁通量密度超過B OP 閾值時,DRV5033開漏輸出變為低電平。輸出將保持低電平,直到磁通量密度降至B RP 以下之後變為高阻抗。輸出灌電流能力為30mA。反向極性保護高達-22V的寬工作電壓範圍(2.5至38V)使得此器件廣泛適用於各種工業信號。 該器件提供針對反向電源情況,負載突降以及輸出短路或過流故障的內部保護功能。 特性 數字全極開關霍爾傳感器 出色的温度穩定性 在温度範圍內B OP ±10% 多種靈敏度選項(B OP /B RP ): ±3.5 /±2mT(FA,請參見) ±6.9 /±3.5mT(AJ,請參見) 檢測南北磁場 支持寬電壓範圍 2.5V至38V 無需外部穩壓器 寬運行電壓範圍 T A = -40至125°C(Q,請見) < li>開漏輸出(30mA灌電流) 35μs快速上電時間 小型封裝尺寸 表面貼裝3引腳小外形尺寸晶體管(SOT )-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引腳TO-92(LPG) 4.00 mm×3.15mm 保護特性 反向電源保護(高達-22V...
發表於 08-17 17:01 278次 閲讀
DRV5033 DRV5033 數字鎖存霍爾效應傳感器

DRV5023-Q1 DRV5023-Q1 數字開關霍爾效應傳感器

DRV5023-Q1器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測解決方案。 當施加的磁通量密度超過B OP 閾值時,DRV5023-Q1開漏輸出將會轉低。輸出將保持低電平,直到磁通量密度降至B RP 以下之後變為高阻抗。輸出灌電流能力為30mA。反向極性保護高達-22V的寬工作電壓範圍(2.7至38V)使得此器件廣泛適用於各種汽車應用。 該器件提供針對反向電源情況,負載突降以及輸出短路或過流故障的內部保護功能。 特性 數字單極性開關霍爾傳感器 符合汽車類應用的AEC-Q100標準 1級:T A = -40至125°C(Q,請參見器件命名規則) 0級:T A = -40至150°C(E,請參見器件命名規則) 反向輸出選項(FI) 出色的温度穩定性 温度範圍內的靈敏度為±10% 多個靈敏度選項(B OP /B RP ): 3.5 /2 mT(FA,FI,請參見器件命名規則) 6.9 /3.2 mT(AJ,請參見器件命名規則) 14.5 /6 mT(BI,請參見器件命名規則) 支持寬電壓範圍 2.7V至38V 無需外部穩壓器 < /li> 開漏輸出(30mA灌電流) 35μs快速上電時間 小型封裝尺寸 表面貼裝3引腳小...
發表於 08-17 16:49 65次 閲讀
DRV5023-Q1 DRV5023-Q1 數字開關霍爾效應傳感器

DRV5053-Q1 汽車類模擬雙極霍爾效應傳感器

DRV5053-Q1器件是一款斬波穩定霍爾IC,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測解決方案。 0V至2V模擬輸出可對施加的磁感應強度做出線性響應,並且能夠辨別磁場方向的極性。反向極性保護高達-22V的寬工作電壓範圍(2.7V至38V)使得此器件適用於廣泛的汽車和消費類應用。 針對反向電源情況,負載突降和輸出短路或過流提供內部保護功能。 特性 線性輸出霍爾傳感器 符合汽車應用要求的AEC-Q100標準 1級:T A = -40至125°C(Q,請見) 0級:T A = -40至150°C( E,請見) 出色的温度穩定性 温度範圍內的靈敏度為±10% 高靈敏度選項: -11mV /mT(OA,請見) -23mV /mT(PA) -45mV /mT (RA) -90mV /mT(VA) + 23mV /mT(CA) + 45mV /mT(EA) < /ul> 支持寬電壓範圍 2.7V至38V 無需外部穩壓器 放大的輸出級 2.3mA灌電流,300μA拉電流 輸出電壓:0.2V至1.8V B = 0mT,OUT = 1V 快速上電:35μs 小型封裝尺寸 表面貼裝3引腳小外形尺寸晶體管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引腳統一封裝(SIP)(LPG)...
發表於 08-17 16:46 316次 閲讀
DRV5053-Q1 汽車類模擬雙極霍爾效應傳感器

DRV5013 DRV5013 數字鎖存霍爾 IC

DRV5013 器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測 解決方案。 磁場由數字雙極鎖存輸出表示。該集成電路 (IC) 配有一個灌電流能力達 30mA 的漏極開路輸出級。反向極性保護高達 -22V 的寬工作電壓範圍(2.5 至 38V)使得此器件廣泛適用於各種工業 應用。 提供針對反向電源情況、拋負載和輸出短路或者過流的內部保護功能。 特性 數字雙極鎖存霍爾傳感器 出色的温度穩定性 在温度範圍內B OP ±10% 多種靈敏度選項(B OP /B RP ) 1.3 /-1.3mT(FA,請參見) 2.7 /-2.7mT(AD,請參見) 6 /-6mT( AG,請參見) 12 /-12mT(BC,請參見) 支持寬電壓範圍 2.5V至38V白血病 至125°C(Q,請見) 開漏輸出(30mA灌電流) 35μs短暫上電時間 < li>小型封裝尺寸 表面貼裝3引腳小外形尺寸晶體管(SOT)-23(DBZ) 2.92mm×2.37mm 插入式3引腳TO-92(液化石油氣) 4.00mm×3.15mm 保護特性 反向電源保護(高達-22V) 支持高達40V負載 輸出短路保護 輸出電流限制 應用 電動工具 流量計 閥門和螺線管狀態 無刷直流電機 接近感...
發表於 08-17 16:44 226次 閲讀
DRV5013 DRV5013 數字鎖存霍爾 IC

DRV5033-Q1 DRV5033-Q1 數字鎖存霍爾效應傳感器

DRV5033-Q1器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,能夠在整個温度範圍內提供具有出色靈敏度穩定性和集成保護特性的磁場感測功能。 DRV5033-Q1對磁場兩極方向的響應相同。當應用的磁通量密度超過B OP 閾值時,DRV5033-Q1開漏輸出變為低電平。輸出將保持低電平,直到磁通量密度降至B RP 以下之後變為高阻抗。輸出灌電流能力為30mA。反向極性保護高達-22V的寬工作電壓範圍(2.7至38V)使得此器件廣泛適用於各種汽車信號。 該器件提供針對反向電源情況,負載突降以及輸出短路或過流故障的內部保護功能。 特性 數字全極開關霍爾傳感器 符合汽車類應用的AEC-Q100標準 1級:T A = -40至125°C(Q,請見) 0級:T A = -40至150° C(E,請見) 出色的温度穩定性 在温度範圍內B OP ±10%< /li> 多種靈敏度選項(B OP /B RP ): ±3.5 /± 2mT(FA,請參見) ±6.9 /±3.5mT(AJ,請參見) 檢測南北磁場 支持寬電壓範圍 2.7V至38V 無需外部穩壓器 開漏輸出(30mA灌電流) 35μs快速上電時間 小型封裝尺寸 表面貼裝3引腳小外形尺寸晶體管(SOT)-23(DBZ) < li> 2.92mm×2.37mm 插...
發表於 08-17 16:39 173次 閲讀
DRV5033-Q1 DRV5033-Q1 數字鎖存霍爾效應傳感器